產品中心
聯系我們
手機： 0532-86625732
郵箱： mamie_chm@126.com
地址： 青島市膠州市上合示范區閩江路60號
設備名稱 電感耦合等離子體刻蝕ICP 品牌型號 oxford plasma 100
設備用途
利用F基和Cl基氣體產生的plasma，對化合物材料和硅基進行刻蝕加工
主要技術指標：
可用氣體：Ar、N2、O2、SF6、H2、CH4、Cl2、BCl3
可刻蝕材料：InP、GaAs、Si
加工尺寸：≤8inch
最大刻蝕速率：對InP＞200nm/min，對GaAs＞200nm/min，
刻蝕均勻性：≤3%
